收藏本站
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
110
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
220
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
100
90
80
V GS = 10V
9V
200
180
160
V GS = 10V
9V
70
60
50
40
30
20
10
0
8V
7V
6V
5V
140
120
100
80
60
40
20
0
8V
7V
6V
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1 1.2
V D S - Volts
1.4
1.6
1.8
2
0
1
2
3
4 5 6
V D S - Volts
7
8
9
10
110
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
2.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 110A
I D = 55A
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V D S - Volts
3
3.5
4
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
3
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
80
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.6
70
External Lead Current Limit
2.4
2.2
2
T J = 175 o C
60
50
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 15V
V GS = 10V
T J = 25 o C
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I D - Amperes
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTT120N15P MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
IXTT16P60P MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
IXTT170N10P MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
IXTT1N100 MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
IXTT20N50D MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
IXTT26N50P MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
IXTT26N60P MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
IXTT30N50L MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
相关代理商/技术参数
IXTT11P50 功能描述:MOSFET 11 Amps 500V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT11P50 T/R 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXTT120N15P 功能描述:MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT12N140 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT12N150 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT140N10P 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT140P10T 功能描述:MOSFET P-Channel: Standard MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT16N10D2 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube